| 主权项 |
1.一种用以对准光罩与半导体曝光装置之晶圆的系统,其包含:一光源;一用来将光束由该光源转换至晶圆之对准标记的光束转换单元;一可投影数条由该对准标记反射出之光束的投影镜头;及一用来检测当该等通过对准标记之光束反射在该光罩与晶圆上的对准状态之检测对准机构;该检测对准装置具有一形成有多数可供通过光罩之光束通过之多数穿孔的薄膜,以及一用来接收通过光罩之光束的扇型光学式感应器;该隔膜具有数个感应装置,用来感应除了正负主要光束或倾斜的正负主要光束之外的次要光束或是高频光束。2.如申请专利范围第1项之用以对准光罩与半导体曝光装置之晶圆的系统,其中该感应装置是一光二极体感应器用来当除了该正负装束或倾斜主要光束的次要或高频光束接触该感应装置时产生一电流。3.如申请专利范围第2项之用以对准光罩与半导体曝光装置之晶圆的系统,其中该光二极体感应器是被安装在前述光束射过隔板之一侧。4.如申请专利范围第2项之用以对准光罩与半导体曝光装置之晶圆的系统,其中该光二极体感应器具有位在与该隔膜之各穿孔相同位置的数个孔,且该正负主要光束经由该光二极体感应器的各穿孔通过该隔膜的各穿孔。5.如申请专利范围第4项之用以对准光罩与半导体曝光装置之晶圆的系统,其中该光二极体感应器之穿孔为四个。6.如申请专利范围第2项之用以对准光罩与半导体曝光装置之晶圆的系统,其更包含:一警报装置,用来提醒不正常状态的操作者;及一控制器,用来感应为了控制该警报装置而由该光二极体感应器产生之电流。如申请专利范围第2项之用以对准光罩与半导体曝光装置之晶圆的系统,其中该检测对准装置更具有为在该隔膜与该扇形光学式感应器之间的一调幅器与一分析仪,以及一用来以裸视方式检查对准性的萤幕。图式简单说明:第1图是一种习知隔板的前视图;第2图是本发明之一曝光装置的设计图;第3图是本发明之一对准系统的爆炸图;第4图是本发明之一检测对准机构的示意图;第5图是本发明之一隔板的立体图;第6图是本发明之一隔板的前视图;以及第7图是本发明之一警报装置与一连结至该隔板之一感应元件的控制器的示意图。 |
