发明名称 液晶显示装置之制造方法
摘要 [课题]提供一种可减少遮罩数俾使制造成本减低的液晶显示装置之制造方法。[解决手段]在形成有栅极汇流排线(3)之基板(41)上层合栅极绝缘膜(43)、半导体膜(45)、矽氮化膜(47),以栅极汇流排线(3)作为遮罩进行背面露光,并将矽氮化膜(47)形成图案,以形成一沿着栅极汇流排线(3)之通道保护膜47。在沿着栅极汇流排线(3)夹入源极(17)及汲极(15)之两个地方,开口两个元件分离用孔(25、27)。利用被夹在元件分离用孔(25、27)而与其他像素区域电分离之半导体膜(45),来构成动作半导体膜,且在栅极汇流排线(3)之两个元件分离用孔间之区域形成一构成栅极之薄膜电晶体。
申请公布号 TW548502 申请公布日期 2003.08.21
申请号 TW088122805 申请日期 1999.12.23
申请人 富士通股份有限公司 发明人 尾崎喜义
分类号 G02F1/1368 主分类号 G02F1/1368
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种液晶显示装置之制造方法,其特征为包含以下步骤:在基板及形成于前述基板上之栅极滙流排线上,依序层合栅极绝缘膜、半导体膜、第一绝缘膜;将前述栅极滙流排线作为遮罩进行背面露光,并将前述第一绝缘膜形成图案(patterning),以形成沿着前述栅极滙流排线之通道保护膜;将隔着前述通道保护膜而对向的源极及汲极形成于每一像素区域;在沿着前述栅极滙流排线夹入前述源极及汲极之两个地方,蚀刻除去前述栅极滙流排线上之至少前述通道保护层及前述半导体膜,以开口两个元件分离用孔,且,利用被夹在该两个元件分离用孔而与其他像素电极电分离之前述半导体膜,来构成动作半导体膜,同时,形成一在前述栅极滙流排线之该两个元件分离用孔间之区域构成栅极的薄膜电晶体,其中该分离用孔系具有完全横穿栅极滙流排线之长度的缝隙状开口。2.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置之制造方法,其特征在于包含以下步骤:形成前述栅极滙流排线之同时,形成存储电容线;将前述存储电容线作为遮罩进行背面露光,并将前述第一绝缘膜形成图案,以形成一沿着前述存储电容线之保护膜;隔着前述保护膜,在前述存储电容线上形成存储电容电极;在沿着前述存储电容线之前述像素区域内之两个地方,至少蚀刻除去前述保护膜及前述半导体膜,以开口两个元件分离用孔,形成一被该两个元件分离用孔夹住而与其他像素区域电分离的存储电容部,其中该两个元件分离用孔系位于像素电极之两端。3.如申请专利范围第1或2项所述之液晶显示装置之制造方法,其特征在于:在前述栅极滙流排线之端子部或前述存储电容线之端子部附近,更形成前述元件分离用孔。图式简单说明:第1图为一平面图,系显示依据本发明第一实施形态之液晶显示制造方法来制造的纵向电场式液晶显示面板之阵列基板。第2图系用以说明本发明第一实施形态之液晶显示装置的制造方法之基板断面图。第2图系显示工程之第一阶段。第2图乃至第7图可通用,其中:(a)为第1图之A-A'线之断面图;(b)为第1图之B-B'线之断面图;(c)为第1图之C-C'线之断面图;(d)为第1图之D-D'线及E-E'线之断面图;(e)为第1图之F-F'线之断面图;(f)为第1图之G-G'线之断面图。第3图为基板断面图,系用以说明本发明第一实施形态之液晶显示装置的制造方法;第3图系显示工程之第二阶段。第4图为基板断面图,系用以说明本发明第一实施形态之液晶显示装置的制造方法。第4图系显示工程之第三阶段。第5图为基板断面图,系用以说明依据本发明第一实施形态之液晶显示装置的制造方法。第5图系显示工程之第四阶段。第6图为基板断面图,系用以说明本发明第一实施形态之液晶显示装置的制造方法。第6图系显示工程之第五阶段。第7图为基板断面图,系用以说明本发明第一实施形态之液晶显示装置的制造方法。第7图系显示工程之第六阶段。第8图为一平面图,系显示由本发明第二实施形态之制造方法所制造的横向电场式液晶显示面板之阵列基板。第9图为基板断面图,系用以说明本发明第二实施形态之液晶显示装置之制造方法。第9图系显示工程之第一阶段。第9图乃至第13图为通用,其中:(a)为第8图之K-K'线之断面图;(b)为第8图之H-H'线之断面图:(c)为第8图之I-I'线之断面图;(d)为第8图之J-J'线之断面图;(e)为第8图之L-L'线之断面图。第10图为基板断面图,系用以说明本发明第二实施形态之液晶显示装置的制造方法。第10图系显示工程之第二阶段。第10图为基板断面图,系用以说明本发明第二实施形态之液晶显示装置的制造方法。第11图系显示工程之第二阶段。第11图为基板断面图,系用以说明本发明第二实施形态之液晶显示装置的制造方法。第11图系显示工程之第三阶段。第12图为基板断面图,系用以说明本发明第二实施形态之液晶显示装置的制造方法。第12图系显示工程之第四阶段。第13图为基板断面图,系用以说明本发明第二实施形态之液晶显示装置的制造方法。第13图系显示工程之第五阶段。第14图,系显示习知纵向电场式液晶显示面板之平面图。第15图为基板断面图,系显示习知纵向电场式液晶显示面板之制造方法。第15图系显示工程之一阶段。第15图乃至第20图为通用,其中:(a)为第14图之M-M'线的断面图;(b)为第14图之N-N'线的断面图。第16图为基板断面图,系用以说明习知纵向电场式液晶显示面板之制造方法。第16图系显示工程之第二阶段。第17图为基板断面图,系用以说明习知纵向电场式液晶显示面板之制造方法。第17图系显示工程之第三阶段。第18图为基板断面图,系用以说明习知纵向电场式液晶显示面板之制造方法。第18图系显示工程之第四阶段。第19图为基板断面图,系用以说明习知纵向电场式液晶显示面板之制造方法。第19图系显示工程之第五阶段。第20图为基板断面图,系用以说明习知纵向电场式液晶显示面板之制造方法。第20图系显示工程之第六阶段。第21图为习知横向电场式液晶显示面板之平面图。第22图,系显示第21图之P-P'线之基板断面。
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