| 摘要 |
半導体装置は、半導体層上に、第２エミッタ領域（９）からバッファ領域（７）に向かって、第１ボディ領域（４）を越えてドリフト領域（６）の一部まで覆うように形成されたゲート絶縁膜（１２）及びゲート電極（１３）を備えている。第２エミッタ領域（９）は、第１エミッタ領域（８）と接続すると共に、第１エミッタ領域におけるゲート電極（１３）寄りの端部からゲート電極の下側に向かう横方向において、第２エミッタ領域（９）の拡散深さよりも長く、且つ第１ボディ領域（４）のゲート電極の下側における横方向の長さを超えない範囲で、ゲート電極の下側にまで延在している。 |
