在积体电路之横向金氧半场效电晶体结构中分离区域之自我对准

摘要

本发明提出一种装置与方法，以用于积体电路之横向MOSFET之分离区域的自我对准。在一实施例中，一种方法包含：在基板之一表面上形成一相当薄之介电层；在该基板之该表面上形成一具有一预先决定之横向长度之相当厚材料的第一区域，该第一区域邻接该相当薄介电层；布值杂质以形成一顶闸极，并使用该第一区域之第一边缘作为遮罩以界定该顶闸极之第一边缘；布植杂质以形成一汲极接点，并使用该第一区域之第二边缘作为遮罩以界定该汲极接点之第一边缘，其中该顶闸极与该汲极接点之间的距离系由该第一区域之横向长度所界定。