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发明名称 Verfahren zum selektiven Abscheiden einer TiNx-Schicht durch MOCVD auf einem Halbleiterbauelement
摘要
申请公布号 DE69222347(T2) 申请公布日期 1998.03.26
申请号 DE1992622347T 申请日期 1992.04.14
申请人 AT & T CORP., NEW YORK, N.Y., US 发明人 KATZ, AVISHAY, WESTFIELD, NEW JERSEY 07090, US
分类号 H01L21/205;C23C16/34;H01L21/285;H01L29/45;(IPC1-7):H01L21/285;H01L29/40 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
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