| 主权项 |
1.一种化学汽相沉积装置之清洁方法,系对反应室供给反应气体之同时,在反应室内所配置之基材表面上形成堆积膜者,其特征在:使用前述化学汽相沉积装置进行基板之成膜处理后,使用远程电浆产生装置使含有含氟化合物之氟系清洁气体电浆化,将前述电浆化之清洁气体直接导入于反应室内,以去除反应室内所附着之副生成物者。2.如申请专利范围第1项之化学汽相沉积装置之清洁方法,其中,前述电浆化之清洁气体系直接导入于反应室内时,远程电浆产生装置与反应室之间的距离为0至200cm。3.如申请专利范围第1项之化学汽相沉积装置之清洁方法,其中,将前述经电浆化之清洁气体直接导入于反应室内时,系从反应室之侧部导入。4.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之化学汽相沉积装置之清洁方法,其中,前述电浆化之清洁气体系直接导入于反应室内之同时,经由原料气体供给路径将前述电浆化之清洁气体导入于反应室内。5.如申请专利范围第4项之化学汽相沉积装置之清洁方法,其中,前述经电浆化之清洁气体,系按选择性方式切换为直接导入于反应室内,或经由原料气体供给路径而导入于反应室内之方式进行。6.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之化学汽相沉积装置之清洁方法,其中,前述含氟化合物系选自碳原子数1至6之全氟代碳类,含氧之全氟代碳类以及含氮之氟化合物中之至少一种。7.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之化学汽相沉积装置之清洁方法,其中,前述含氟化合物系碳原子数1至6之全氟代碳类。8.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之化学汽相沉积装置之清洁方法,其中,前述化学汽相沉积装置系在反应室内所配置之上部电极与下部电极间施加高频电力,藉以使其产生电浆,并在反应室内之下部电极上所配置之基材表面上形成堆积膜之电浆化学汽相沉积装置。9.一种化学汽相沉积装置之清洁装置,系对反应室供给反应气体之同时,在反应室内所配置之基材表面上形成堆积膜者,其特征在该装置具备:使用前述电浆化学汽相沉积装置进行基板之成膜处理后,使含有含氟化合物之氟系清洁气体电浆化之远程电浆产生装置;及将前述远程电浆产生装置所电浆化之清洁气体直接导入于反应室内之清洁气体导入路径,而使用导入于前述反应室内之清洁气体,去除反应室内所附着之副生成物者。10.如申请专利范围第9项之化学汽相沉积装置之清洁装置,其中,前述电浆化之清洁气体直接导入于反应室内时,远程电浆产生装置与反应室之间之前述清洁气体导入路径之距离为0至200cm。11.如申请专利范围第9项之化学汽相沉积装置之清洁装置,其中,将前述经电浆化之清洁气体直接导入于反应室内时,前述清洁气体导入路径系从反应室之侧部导入者。12.如申请专利范围第9项至第11项中任一项之化学汽相沉积装置之清洁装置,其中,前述清洁气体导入路径具备有:将前述电浆化之清洁气体直接导入于反应室内之第1清洁气体导入路径;及将前述电浆化之清洁气体经由原料气体供给路径导入于反应室内之第2清洁气体导入路径。13.如申请专利范围第12项之化学汽相沉积装置之清洁装置,其中,具备有按选择性方式切换前述第1清洁气体导入路径与第2清洁气体导入路径之切换控制装置。14.如申请专利范围第9项至第11项中任一项之化学汽相沉积装置之清洁装置,其中,前述含氟化合物系选自碳原子数1至6之全氟代碳类,含氧之全氟代碳类以及含氮之氟化合物中之至少一种。15.如申请专利范围第9项至第11项中任一项之化学汽相沉积装置之清洁装置,其中,前述含氟化合物系选自碳原子数1至6之全氟代碳类。16.如申请专利范围第9项至第11项中任一项之化学汽相沉积装置之清洁装置,其中,前述化学汽相沉积装置系在反应室内所配置之上部电极与下部电极之间施加高频电力,使其产生电浆,并在反应室内之下部电极上所配置之基材表面上形成堆积膜之电浆化学汽相沉积装置。图式简单说明:第1图系表示用以实施本发明CVD装置清洁方法之CVD装置清洁装置使用于电浆CVD法之第1实施例概略图。第2图系表示本发明CVD装置清洁装置之部分放大剖面图。第3图系表示本发明CVD装置清洁装置之概略图。第4图系表示用以实施本发明CVD装置清洁方法之CVD装置清洁装置适用于电浆CVD装置之第2实施例概略图。第5图系表示以往电浆CVD法所用之电浆CVD装置之概略图。第6图系表示以往电浆CVD法所用之电浆CVD装置之清洁装置之概略图。第7图系表示清洁压力与气体排出量之图。第8图系表示依各清洁法之成膜处理张数与异物之出现数之图。 |
