发光二极管元件

摘要

本发明涉及一种发光二极管元件，其是在基板表面先成长一n－GaN层，并于此n－GaN的表面成长SiO₂，且利用黄光微影制程，将台面区域的n－GaN露出，再将此晶片经MOCVD于台面区域外延成长发光二极管结构，利用选择性区域成长氮化镓外延晶圆的特性，使其长成具有p－n同面的结构，再于此结构上制作电极。本发明不需蚀刻即可完成p－n同面的结构，可有效简化制程，并可避免因蚀刻所造成的蚀刻深度不均，表面过于粗糙，蚀刻损伤造成电性不良及漏电电流等问题。此外，SiO₂也作为散射层，由于其形成具有散射效果，使得发光层出来的光经由此散射层的散射作用而改变光线路径以减少内部全反射。

主权项

1.一种发光二极管元件，包括：基板；第一半导体层，其形成于基板的表面上；阻隔层，其形成于第一半导体层表面上；台面区域，其形成于阻隔层表面上，以露出第一半导体层表面；以及发光二极管结构，其形成于露出的第一半导体表面上；其特征在于，所述发光二极管结构由一发光活性层和一p型氮化镓系列III-V族化合物层结合而成，所述p型氮化镓系列III-V族化合物层与一p型低电阻欧姆接触电极电性连接，该n型氮化镓系列III-V族化合物层与一n型低电阻欧姆接触电极电性连接，提供一顺向偏压。