| 主权项 |
1.一种「孔洞化结构材料制造方法」,其主要包括有以下的步骤:调浆,将介电陶瓷材料与乙醇和甲苯二种有机溶剂及分散剂混合调配成均匀分散的浆料,其中分散剂的含量为介电陶瓷材料的1.2-2.2%,乙醇与甲苯的配比为2:3,黏度计的转速设定12rpm时,浆料的黏度为5-10cp;制粉粒,将浆料经磨球研磨搅拌后,制成0.1-0.14m的次微米粉粒;制备黏结剂,将聚乙烯醇与水混合后调配成黏结剂,该聚乙烯醇的含量为3-5%;添加黏结剂,按1:0.8-1.2的比例将次微米粉粒与黏结剂混合,经搅拌均匀后,生成乳状胶体;乾燥,将乳状胶体烘乾成块状固体,制成孔洞化结构材料者。2.依据申请专利范围第1项所述之「孔洞化结构材料制造方法」,其中磨球研磨搅拌时,可采用多种不同粒径的磨球,以低速研磨的方式实施,以有效缩短浆料研磨时间者。3.一种「孔洞化单晶高频电容器制法」,其主要包括有以下的步骤:粉碎造粒:将孔洞化结构材料置于研钵中磨细;压模成型,将磨细之孔洞化结构材料置于特殊治具中冲压成锭;烧结:将前述孔洞化结构材料锭烧结成具自然而均匀的空间,形成孔洞单晶结构;再经去毛边及端电极制程后,制成孔洞化单晶高频电容器者。4.依据申请专利范围第3项所述之「孔洞化单晶高频电容器制法」,其中,该烧结步骤的升温设定,系以三段持温的方式者。5.一种「孔洞化单晶高频电容器」,主要包括有介电陶瓷层与至少二个电极,其特征在于:该介电陶瓷层具有中空结晶体的孔洞化结构,藉介电陶瓷的孔洞化单晶结构,借由空气媒介,以提高电容器之高频特性者。图式简单说明:第1图系本发明液-液相变化示意图。第2图系本发明粒径分散模拟示意图。其中,第2-1图系习用粒子均匀分散示意图。第2-2图系本发明粒子不均匀分散示意图。第3图系本发明孔洞化单晶高频电容器剖面图。第4图系本发明升温设定图。其中,第4-1图为本发明升温设定步骤表。第4-2图为依第4-1图设定之温度-时间监控图(由THERMOTRACKER温度监控器绘出)。第5图系本发明研磨时间对粒径关系图。其中,第5-1图系本发明研磨时间对粒径关系表。第5-2图系依第5-1图绘制之研磨时间对粒径关系图。第6图系本发明烧结温度对介电常数及孔隙度关系图。其中,第6-1图为烧结温度对介电常数及孔隙度关系表。第6-2图为烧结温度对介电常数及孔隙度关系图。第7图为本发明制作电容器后频率特性图。其中,第7-1图为NPO、X7R及OTHER三种陶瓷电容器电容値对自我共振频率统计表。第7-2图系0603尺寸电容器电容値、频率及耐电压统计表。第7-3图系1008 size NPO 3.2pF由HP 8753E network analyzer绘制之史密斯图。第7-4图为1008 size other 1.31pF由HP 8753E network analyzer绘制之史密斯图。第7-5图为1008 size X7R 12.1pF由HP 8753E network analyzer绘制之史密斯图。第7-6图为0805 size other 1.10pF由HP 8753E network analyzer绘制之史密斯图。第7-7图为0805 size X7R 9.5pF由HP 8753E network analyzer绘制之史密斯图。第7-8图为0603 size other 0.60pF由HP 8753E network analyzer绘制之史密斯图。第7-9图为0603 size X7R 10.69pF由HP 8753E network analyzer绘制之史密斯图。 |
