| 发明名称 | 半导体基板导电层表面的净化方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可以充分地除去残渣有机物和自然氧化物，并且不对通孔的侧壁绝缘膜造成损伤，不对k值造成不良影响的半导体基板导电层表面的净化方法。将在半导体基板的导电层(1)的表面上形成绝缘膜(2、3)、并在绝缘膜(3)中形成将导电层(1)的一部分露出的通孔(4)的半导体装置搬入到反应容器内，在反应容器内产生含氢的等离子体、以将通孔(4)底部的导电层(1)上净化，利用灰化将残渣有机物(6)分解除去并将导电层(1)表面上的铜氧化膜(7)还原成铜。 | ||
| 申请公布号 | CN1890785A | 申请公布日期 | 2007.01.03 |
| 申请号 | CN200480035836.X | 申请日期 | 2004.12.03 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 佐佐木胜;井出真司;尾崎成则 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体基板导电层表面的净化方法，对放置在反应室内的半导体基板上的导电层表面进行净化，其特征在于：在所述反应室内产生含氢的等离子体，边利用该等离子体还原所述导电层表面、边进行净化。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||