| 发明名称 | 一种晶圆表面氧化膜去除工艺和装置 | ||
| 摘要 | 一种晶圆表面氧化膜去除工艺和装置，该工艺是：在晶圆表面氧化膜去除装置的反应室中，将硅片中待去除表面氧化膜的那一面正对通过鼓泡气阀控制的氢氟酸气体，需要保护的硅片的另一面正对保护气体，待去除完成后，再对样品作检测；所述的装置包括：操作风橱，氢氟酸气体发生器，保护气体传送装置，反应室，氢氟酸气体输运管道。本发明的优点是：设备成本低，制造周期短，设备占用空间小，产品加工成本低，硅片的去除氧化膜的效果好，可满足设计要求。 | ||
| 申请公布号 | CN101339901A | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200710118221.9 | 申请日期 | 2007.07.02 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 | 发明人 | 王喆;王辉;陆小勇;徐继平;万关良 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭佩兰 |
| 主权项 | 1、一种晶圆表面氧化膜去除工艺，其特征在于：该工艺是：在晶圆表面氧化膜去除装置的反应室中，将硅片中待去除表面氧化膜的那一面正对通过鼓泡气阀控制的氢氟酸气体，需要保护的硅片的另一面正对保护气体，待去除完成后，再对样品作检测。 | ||
| 地址 | 100088北京市新街口外大街2号 | ||