发明名称 |
模穿孔聚合物块封装 |
摘要 |
描述了形成具有在聚合物块中的模穿孔的集成电路芯片封装的方法以及这种封装。例如,第一互连层可以形成在模制聚合物块上,其中所述第一互连层包括穿过第一聚合物层且到达所述块的第一互连。随后,至少一个第二互连层可以形成在所述第一互连层上,其中所述第二互连层包括穿过第二聚合物层且到达所述第一互连层的所述第一互连的第二互连。随后,可以形成穿过所述块、进入所述第一互连层中且到达所述第一互连的模穿孔。所述模穿孔可以填充有焊料以形成接触所述第一互连并在所述块上延伸的凸块。还描述并要求了其它实施例。 |
申请公布号 |
CN102770957B |
申请公布日期 |
2016.07.13 |
申请号 |
CN201080064633.9 |
申请日期 |
2010.11.19 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
M·K·罗伊;I·A·萨拉马;C·K·古鲁默西;R·L·赞克曼 |
分类号 |
H01L23/485(2006.01)I;H05K3/46(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/485(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
陈松涛;夏青 |
主权项 |
一种形成集成电路芯片封装的方法,包括:在模制聚合物块上形成触碰所述模制聚合物块的第一互连层,其中所述第一互连层包括穿过第一聚合物层且到达所述模制聚合物块的多个第一互连;在所述第一互连层上形成触碰所述第一互连层的至少一个第二互连层,其中所述第二互连层包括穿过第二聚合物层且到达所述第一互连层的所述多个第一互连的多个第二互连,其中形成所述第一互连层包括:利用第一光刻胶层叠所述模制聚合物块的第一表面;蚀刻所述第一光刻胶以形成接触部开口;在每个所述接触部开口中形成选择性聚合物层;去除所述第一光刻胶;在所述模制聚合物块之上和所述选择性聚合物层之上层叠第一聚合物毯层;在所述聚合物毯层中形成到达所述选择性聚合物层的第一过孔;在所述第一过孔中形成到达所述选择性聚合物层的第一导电互连材料的第一层。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |