半导体器件

摘要

在具有被配置为使电流在上电极(10)和下电极(11)之间流通的直立的半导体元件(100，200)的半导体器件中，场截止层(2)包含掺杂有磷或砷的磷/砷层(2a)和掺杂有质子的质子层(2b)。所述磷/砷层(2a)从半导体衬底的背侧起形成至预定的深度。所述质子层(2b)深于所述磷/砷层(2a)。所述质子层(2b)的杂质浓度在所述磷/砷层(2a)内部达到峰值并且在大于所述磷/砷层(2a)的深度逐渐地连续不断地减小。

主权项

一种具有直立的半导体元件(100，200)的半导体器件，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底提供具有原材料浓度的n型漂移层(1)，在n型漂移层(1)的背侧的表面部分中形成有n型场阑层(2)；n型或p型半导体区域(3，20)，所述n型或p型半导体区域(3，20)形成于所述漂移层(1)的背侧上；n型场阑层(2)，所述n型场阑层(2)从所述半导体衬底的背侧起形成至大于所述半导体层(3，20)的深度的深度，并且具有高于所述漂移层(1)的杂质浓度的杂质浓度；p型区域(4)，所述p型区域(4)形成于所述漂移层(1)的前侧上；上电极(10)，所述上电极(10)形成于所述漂移层(1)的所述前侧上并且与所述p型区域(4)接触；以及下电极(11)，所述下电极(11)形成于所述漂移层(1)的背侧上并且与所述半导体区域(3，20)接触，其中所述直立的半导体元件(100，200)被配置为使电流在所述上电极和所述下电极之间流通，所述场阑层(2)包含掺杂有磷或砷的磷/砷层(2a)和掺杂有质子的质子层(2b)，所述磷/砷层(2a)从所述n型漂移层(1)的所述背侧起形成至预定的深度，所述质子层(2b)从所述n型漂移层(1)的所述背侧起形成至大于所述磷/砷层(2a)的深度的深度，并且所述质子层(2b)的杂质浓度在所述磷/砷层(2a)内部达到峰值并且在大于所述磷/砷层(2a)的深度逐渐地连续不断地减小。