| 主权项 |
1.一种电介质元件,其系具有:下部电极,包括含有金属、矽及氮,而且具有抑制氧扩散功能之第1导电膜;第1绝缘膜,形成在前述下部电极上,包含氧化物系电介质膜;以及第2绝缘膜,配置在前述下部电极以外的区域,具有抑制氧扩散的功能,前述金属系包含从Ir、Pt、Ru、Re、Ni、Ta、Co及Mo所构成的组群中选择至少1个,前述第2绝缘膜系配设成与前述第1导电膜相接触。2.如申请专利范围第1项之电介质元件,其中,前述第2绝缘膜之电介常数系比前述氧化物系电介质膜之电介常数更小。3.如申请专利范围第1项之电介质元件,其中,前述第2绝缘膜系包含从SiN膜、SiON膜、A12O3,膜及TiO2膜所构成的组群中选择至少1个。4.如申请专利范围第1项之电介质元件,其中,前述第2绝缘膜系以覆盖前述下部电极之侧壁的方式而形成。5.如申请专利范围第1项之电介质元件,其中,具备有形成在前述第2绝缘膜上,且残留应力比前述第2绝缘膜更小的第3绝缘膜。6.如申请专利范围第5项之电介质元件,其中,前述第3绝缘膜系包含从SiO2膜、SiOF膜及SiOC膜所构成的组群中选择至少1个。7.如申请专利范围第1项之电介质元件,其中,包含前述第1导电膜之下部电极系形成在导电物上。8.如申请专利范围第7项之电介质元件,其中,前述导电物系包含钨栓塞及多晶矽栓塞之任一种。图式简单说明:第1图系表示本发明第1实施型态之电容元件结构之剖视图。第2图系用以说明第1图所示之第1实施型态之电容元件制造过程的剖视图。第3图系用以说明第1图所示之第1实施型态之电容元件制造过程的剖视图。第4图系用以说明第1图所示之第1实施型态之电容元件制造过程的剖视图。第5图系用以说明第1图所示之第1实施型态之电容元件制造过程的剖视图。第6图系用以说明本发明第1实施型态之效果的特性图。第7图系用以说明本发明第1实施型态之效果的特性图。第8图系表示本发明第2实施型态之电容元件结构之剖视图。第9图系用以说明本发明第2实施型态之电容元件制造过程的剖视图。第10图系用以说明本发明第2实施型态之电容元件制造过程的剖视图。第11图系用以说明本发明第2实施型态之电容元件制造过程的剖视图。第12图系用以说明本发明第2实施型态之电容元件制造过程的剖视图。第13图系用以习知之高电介质记忆体结构之剖视图。第14图系从旋转90度的方向观察第13图所示之习知之电容部分的剖视图。 |
