高能CMOS之改良凸起延伸结构IMPROVED RAISED EXTENSION STRUCTURE FOR HIGH PERFORMANCE CMOS

摘要

一种在一基底上制作具有一闸极、一凸起源极区域及一凸起汲极区域之互补式金氧半导体装置之处理流程，其特改良更包括一凸起延伸区域，其步骤包括：提供一矽表面于一绝缘层；提供一闸极，其相邻于一预想源极/汲极区域；提供一偏移间隔物，其相邻于该闸极；利用选择性磊晶生长一源极/汲极区域；利用离子植入法形成具有一种或更多种掺质之一延伸区域；以及形成一浓掺质汲极间隔物。