形成多个不同深度接触窗的方法

摘要

在蚀刻步骤中,形成多个不同深度接触窗的方法。该半导体晶片包含一介电层,其下包含有一硅衬底、一氮化硅层以及一氮氧化硅层,此方法包含下列步骤:首先限定一光刻胶层在介电层上,此氮氧化硅层下方具有一第一导电层,此氮化硅层下方具有一第二导电层。接着蚀刻此氮氧化硅层、氮化硅层以及位于此氮氧化硅层及此氮化硅层上的部分介电层,以在硅衬底、第一导电层以及第二导电层上形成多个不同深度的接触窗。

主权项

1.一种形成多个不同深度接触窗的方法，该方法是在一蚀刻步骤中，于一半导体晶片上进行的，该半导体晶片至少包含一介电层，该介电层下包含有一硅底材、一氮化硅层以及一氮氧化硅层，所述方法至少包含：在所述介电层上，限定一光刻胶层，该氮氧化硅层下方具有一第一导电层，该氮化硅层下方具有一第二导电层；蚀刻该氮氧化硅层、该氮化硅层以及位于该氮氧化硅层及该氮化硅层上的部分介电层，通过使用一蚀刻剂进行该蚀刻步骤，以暴露出该硅衬底、该第一导电层以及该第二导电层，该蚀刻剂至少包含一第一化学药剂以及一第二化学药剂，该第一化学药剂至少包含C2F6、C4F8、CH3F以及Ar，该第二化学药剂可以由下列中选出，O2、CO2、CO及其组合，由此，在该硅衬底、该第一导电层以及该第二导电层上形成多个不同深度的接触窗。