制造加速计的方法

摘要

制造于晶片上的器件通过在覆盖晶片上形成一种样式的粘合环，且对齐并在热压缩下粘合两个晶片到一起而被封装，所以每个器件(20)的操作部件(22)被各自的粘合环(21)包围。所述的粘合环通过占据被环跨接的器件上表面中的任何沟槽(25)或其它不连续部分，如导电轨(23)而提供密封。加速计是通过在衬底(1)的顶部蚀刻至少一个空腔，粘合中间材料层(6)至所述衬底的顶部上，沉积金属化层至中间层上，且蚀刻金属化层和中间层以形成垂悬于每个空腔上的传感器结构而制造的。沉积在衬底(30)上的下金属化层的导电轨(31，32)与导电轨(37，38)交叉而没有电连接，导电轨(37，38)沉积于中间层(35，36)的上面。电桥是通过在中间层下边形成空腔(33，34)以容纳下导电轨而制造的。

主权项

1.一种粘合覆盖晶片(34)至器件晶片的方法，所述器件晶片具有衬底(30)和形成于所述衬底的一个面上的各个器件的图案，所述方法包括以下按所述顺序执行的步骤：(a)在所述覆盖晶片的一个面上形成玻璃粘合环(35)，所述粘合环被限定尺寸并被安置在所述覆盖晶片上，当所述覆盖晶片和所述器件晶片对齐时，所述粘合环分别包围所述器件晶片上的各个器件(12-2)；(b)对齐并放置所述覆盖晶片于所述器件晶片上，其中所述覆盖晶片的所述一个面邻近所述衬底的所述面，在所述衬底上形成各个器件的图案，所述两个晶片对齐，其中所述粘合环分别围住所述的各个器件(12-3)；(c)暴露所述对齐的晶片于真空中(12-4)，且增加所述晶片的温度至预定的粘合温度(12-6)；(d)施加偏压力(12-7)以促使所述对齐的晶片靠到一起，且压缩所述粘合环；(e)降低所述晶片的温度至室温(12-8)，且当所述晶片的温度低于第一预定温度时移去力；以及(f)当所述晶片的温度低于第二预定温度时，将真空连通空气(12-9)。