半导体记忆模组

摘要

本发明之半导体记忆模组的裸晶片(1)系具备有：在作为半导体素材用之晶圆状态时所形成之可相互独立记忆资料的第1半导体记忆部(1a)与第2半导体记忆部(1b)；以及分别将第1半导体记忆部(1a)与第2半导体记忆部(1b)，设定为资料可输出入态样、与资料不可输出入态样中任一态样之当作半导体记忆部使用/非使用选择电路用的电配线(15)。藉此便可提供在复数裸晶片利用构模树脂而一体覆盖的半导体记忆模组中，具备有将被检测属不良之裸晶片、与预备裸晶片进行取代之机能的半导体记忆模组。

主权项

1.一种半导体记忆模组,系将复数个包括有复数半导体晶片所集合而成之1片板状半导体素材的半导体晶片集合体(1),搭载于模组基板(2)上者,其中,上述半导体晶片集合体(1)系具备有:复数半导体记忆部(1a,1b),设置于上述半导体素材上,且属于单独并具有当作上述复数半导体晶片用之机能;以及半导体记忆部使用/非使用选择电路(15),将该复数半导体记忆部(1a,1b)分别设定为上述资料可输出入态样、与上述资料不可输出入态样中任一态样。2.如申请专利范围第1项之半导体记忆模组,其中,上述半导体记忆部使用/非使用选择电路(15),系设置于上述半导体记忆部(1a,1b)彼此之间的区域中。3.如申请专利范围第1项之半导体记忆模组,其中,上述半导体记忆部使用/非使用选择电路(15),系包含有分别电耦接于上述复数半导体记忆部(1a,1b)上的电配线(15a,15b),藉由该电配线(15a,15b)的切断,便可分别将复数半导体记忆部(1a,1b)形成上述资料不可输出入的态样。4.如申请专利范围第1项之半导体记忆模组,其中,上述电配线(15a,15b)系设置于上述半导体素材上。图式简单说明:图1为供制造构成本实施形态之半导体记忆装置的裸晶片用晶圆概略配置图。图2为构成本实施形态之半导体记忆装置的裸晶片示意图。图3为本实施形态之半导体记忆装置的裸晶片另一例说明图。图4为本实施形态之半导体记忆模组构造的说明图。图5为供制造习知半导体记忆装置之裸晶片用的晶圆晶割线图。图6为习知晶割后之裸晶片的说明图。图7为习知半导体记忆模组之裸晶片配置图。