发明名称 利用双重金属镶嵌制程之图案形成方法
摘要 在一覆盖下层内连线12之层间绝缘膜17中显开一介层孔18,在该介层孔18之底部上填入一保护膜19,于其上再填入一溶解性树脂20,其在未曝光的条件下可溶解于光阻显影液。然后涂布一光阻21,并对该光阻21进行曝光与显影制程以形成一光阻图案21a,其具有一开口位于包含该介层孔之区域中。接着利用该光阻图案21a,在该层间绝缘膜17中形成一内连接渠沟,再藉着将一金属材料填入该介层孔与内连接渠沟中,而形成一双重金属镶嵌结构。
申请公布号 TW200306645 申请公布日期 2003.11.16
申请号 TW092108491 申请日期 2003.04.11
申请人 NEC电子股份有限公司 发明人 藤本 匡志
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本
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