发明名称 |
芯片型保险丝及其微小熔断部的形成方法 |
摘要 |
本发明提供一种芯片型保险丝及其微小熔断部的形成方法,在本发明中,测定保险丝膜13的初期电阻值,并通过预先设定的多个偏差宽度区分该初期电阻值,且以根据额定电流值预先被设定的长度形成第一修整槽T1的正交方向修整槽,之后以根据偏差的区分结果所设定的长度形成第一修整槽的平行方向修整槽,其次,以根据额定电流值预先被设定的长度形成第二修整槽T2的正交方向修整槽,之后测定保险丝膜的电阻值并使其达到期望电阻值为止,在根据偏差的区分结果所设定的长度范围内形成第二修整槽的平行方向修整槽。 |
申请公布号 |
CN100466135C |
申请公布日期 |
2009.03.04 |
申请号 |
CN200480030856.8 |
申请日期 |
2004.10.26 |
申请人 |
釜屋电机株式会社 |
发明人 |
中西幸司 |
分类号 |
H01H69/02(2006.01);H01H85/046(2006.01) |
主分类号 |
H01H69/02(2006.01) |
代理机构 |
广州三环专利代理有限公司 |
代理人 |
刘延喜 |
主权项 |
1.一种芯片型保险丝微小熔断部的形成方法,其是由第一修整槽及第二修整槽形成微小熔断部的一种方法,其中,在正交于设置在绝缘基板上的矩形保险丝膜的两侧周边部的方向上各自延伸正交方向修整槽,并连接于各正交方向修整槽而在与两侧周边部平行的方向上各自延伸平行方向修整槽,从而构成第一修整槽及第二修整槽,该方法的特征在于:测定保险丝膜的初期电阻值,并通过预先设定的多个偏差宽度区分该初期电阻值,且以根据额定电流值预先被设定的长度形成第一修整槽的正交方向修整槽,之后以根据所述初期电阻值偏差的区分结果所设定的长度形成第一修整槽的平行方向修整槽,其次,以根据额定电流值预先被设定的长度形成第二修整槽的正交方向修整槽,之后测定保险丝膜的电阻值并使其达到期望电阻值为止,根据所述初期电阻值偏差的区分结果所设定的长度范围内形成第二修整槽的平行方向修整槽。 |
地址 |
日本国神奈川县 |