| 主权项 |
1.一种薄膜形成装置,系用以形成薄膜图案于基板表面者,其中包含有:转印元件,系具有承载薄膜图案之薄膜承载面者;薄膜转印机构,系使该转印元件密接于基板上而将上述薄膜承载面上之薄膜图案转印于该基板者。2.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置,其中,上述薄膜转印机构系使上述薄膜图案转印于形成有布线图案或装置之基板上者。3.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置,其中,上述转印元件系用以承载作为上述薄膜图案之布线膜图案者。4.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置,其中,上述薄膜转印机构系使上述薄膜图案以埋设于基板上所形成之膜中之状态进行转印者。5.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置,其中,上述薄膜转印机构系于形成有凝胶状膜之基板上,使上述薄膜图案以埋设于上述凝胶状膜内之状态进行转印者。6.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置,其中,上述转印元件系于表面具有凹部及凸部,而凸部之表面设有上述薄膜承载面者。7.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置,其中,上述转印元件系具有平坦之表面,而于该平坦表面之指定领域形成上述薄膜图案者。8.一种薄膜形成方法,系用以在基板表面形成薄膜图案者;其中包含有:薄膜图案形成步骤,系使薄膜图案形成于转印元件之薄膜承载面者;转印步骤,系使上述转印元件密接于基板上,将上述薄膜承载面上之薄膜图案转印于该基板者。9.如申请专利范围第8项之薄膜形成方法,其中,上述基板系形成有布线图案或装置之基板者。10.如申请专利范围第8项之薄膜形成方法,其中,上述薄膜图案系为布线膜图案者。11.如申请专利范围第8项之薄膜形成方法,其中,上述薄膜图案系以埋设于基板上所形成之膜中之状态被转印者。12.如申请专利范围第8项之薄膜形成方法,其中更包括:在上述基板表面形成凝胶状膜之步骤;上述薄膜图案,系以埋设于上述凝胶状膜中之状态进行转印者。13.如申请专利范围第8项之薄膜形成方法,其中更包括:在上述转印元件表面形成凹部及凸部之步骤,而在上述凸部表面设有上述薄膜承载面者。14.如申请专利范围第8项之薄膜形成方法,其中,上述转印元件具有平坦之表面,在该平坦表面指定之领域形成上述薄膜图案者。15.如申请专利范围第8项之薄膜形成方法,其中,上述薄膜图案系由电镀法形成者。16.一种薄膜形成装置,系用以形成复数之薄膜于基板上者,其中包含有:转印元件,系承载复数之薄膜者;及转印机构,系使该转印元件和基板密接而使被承载于上述转印元件之复数薄膜总括转印于该基板上者。17.如申请专利范围第16项之薄膜形成装置,其中,上述转印元件系承载应形成于上述基板上之不同层之异种类之薄膜者。18.如申请专利范围第16项之薄膜形成装置,其中,上述转印元件系承载应形成于上述基板上之不同层之复数之薄膜者。19.一种薄膜形成方法,系用以形成复数之薄膜于基板上者,其中包含有:形成复数薄膜于转印元件表面之步骤;总括转印步骤,系使形成有上述复数薄膜之转印元件密接于基板,将上述复数之薄膜总括转印于该基板上者。20.如申请专利范围第19项之薄膜形成方法,其中,在上述转印元件表面形成有应形成于上述基板上之同一层内之异种类之薄膜者。21.如申请专利范围第19项之薄膜形成方法,其中,在上述转印元件表面形成有应形成于上述基板上之不同层内之复数薄膜者。22.如申请专利范围第19项之薄膜形成方法,其中,上述基板为半导体基板者。23.如申请专利范围第19项之薄膜形成方法,其中,上述基板为绝缘基板者。24.一种基板处理装置,系用以形成薄膜图案于基板表面者;其中包含有:电镀处理部,系用以形成金属布线膜图案于转印元件表面者;涂敷处理部,系用以形成绝缘膜于基板表面者;及转印处理部,系用以将电镀处理部所形成于转印元件表面之金属布线膜图案,转印到藉由涂敷处理部而涂敷有绝缘膜之基板上者。25.如申请专利范围第24项之基板处理装置,其中更具备热处理部,系用以使涂敷处理部所涂敷形成于基板表面之绝缘膜成为凝胶状者;转印处理部,系用以使电镀处理部所形成于转印元件之金属布线膜图案,转印到藉由热处理部变成凝胶状之绝缘膜者。26.如申请专利范围第24项之基板处理装置,其中更包含有:热处理部,系用以使转印处理部将金属图案转印后之基板之绝缘膜加以硬化者。27.如申请专利范围第24项之基板处理装置,其中更包含有:主搬运机器人,系用以对于电镀处理部、涂敷处理部及转印处理部进行基板或转印元件之搬进/搬出者。28.如申请专利范围第24项之基板处理装置,其中更包含有:匣盒承载部,系承载可收纳转印元件之匣盒及可收纳基板之匣盒者;及索引机器人,系从匣盒承载部所承载之匣盒中取出转印元件或基板,将其给予上述包括电镀处理部、涂敷处理部及转印处理部之基板处理部,并从上述基板处理部接受使用后的转印元件或处理后的基板收纳到匣盒中者。图式简单说明:图1A~1C为说明本发明一实施形态之布线形成方法之图解性剖面图。图2A~2C为显示在转印元件之表面形成金属布线膜图案步骤一例之剖面图。图3A及3B为显示转印元件之母材由导电性材料所组成时的金属布线膜图案形成方法之一例之剖面图。图4为显示实施上述布线形成步骤所需基板处理装置之配置的图解性俯视图。图5为说明转印处理部之结构例之图解图。图6A及6B为说明本发明之其他实施形态所使用之转印元件结构之图。图7A~7C为说明本发明又一其他实施形态之薄膜形成方法之图解性剖面图。图8为显示将薄膜层从转印片材转印到晶圆上的转印处理装置结构之图解图。图9A~9C为说明本发明又一其他实施形态之薄膜形成方法之图解性剖面图。图10为说明本发明又一其他实施形态之图,为晶圆尺寸封装(CSP)型半导体装置之图解性剖面图。图11A~11D为显示金属镶嵌法之布线形成步骤之图解性剖面图。 |
