半导体装置及其制造方法

摘要

以得到即使进行高温工作的情况下也能够长时间维持与半导体元件的接合的半导体装置为目的，具备：电路基板，在绝缘基板（21）的一个面设置了由铜材料构成的电极（22、23、26）；以及功率半导体元件（1），使用烧结银粒子接合材料（4P）接合到电极，其中，电极的从与功率半导体元件（1）的接合面（PB）至朝向绝缘基板（21）的50μm深度为止的部分（23、26P）具有维氏硬度70HV以上的硬度，且绝缘基板（21）侧的部分（22、26B）的维氏硬度为50HV以下。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：电路基板，在由陶瓷材料构成的绝缘基板的一个面设置了由铜材料构成的电极；以及半导体元件，使用烧结性银粒子接合材料接合到所述电极，所述电极的从与所述半导体元件的接合面到朝向所述绝缘基板的50μm的深度为止的部分具有维氏硬度70HV以上的硬度，且所述绝缘基板侧的部分的维氏硬度为50HV以下。