一种半导化陶瓷元件之封装结构

摘要

一种半导化陶瓷元件之封装结构，系将半导性陶瓷电子元件利用陶瓷多层封装技术(MCM-C)作成表面黏着式元件(SMD,Surface Mount Device)，其中该封装结构系主要由一上层基板、一下层基板、一半导陶瓷片及一端电极所组成，藉由焊接、上环氧树脂绝缘层、钻孔、端电极金属化、切割、成品等步骤所完成，其中于该半导陶瓷片上涂有银电极，以使该封装结构具有可增加有效的电极披覆面积，以减少电弧(arching)现象，此外、该半导体化陶瓷元件之封装可依需求，如耐突波能力、阻抗等特性，而选用单孔或多孔之端电极连接方式，即于上层基板及下层基板之镀金属层之二侧设置有单或复数个导电通孔，该结构表面不需另外涂上绝缘层即可进行端电极电镀 。

主权项

1.一种半导化陶瓷元件之封装结构,包括有:一上层基板,其中该上层基板系包括FR5基材板、第一镀金属层、第二镀金属层,其最上层系为FR5基材板,第一镀金属层置于FR5基材板与第二镀金属层之间,最下层为第二镀金属层;一下层基板,其中该下层基板系包括FR5基材板、第一镀金属层、第二镀金属层,其最下层系为FR5基材板,第一镀金属层置于FR5基材板与第二镀金属层之间,最上层为第二镀金属层;一半导陶瓷片,该半导陶瓷片系上下二侧涂有银电极之薄片所构成;该封装结构系由半导陶瓷片之上方覆盖有该上层基板、下方覆盖有该下层基板所组合,于此构成一三明治夹层,于上层基板之基材右上侧及下层基板之基材左下侧设置至少一个导电通孔,于上层基板之左上侧及下层基板之右下侧突置有镀铜垫体,再于二侧边装置有端电极(meltalize termination);该半导陶瓷片上涂有银电极之镀银面积增加有效相对应之电极面积,并且不需另外涂上绝缘层即可电镀。2.如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该导电通孔的数量系为一个。3.如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该导电通孔的数量系为复数个。4.如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该上层基板之第一镀金属层系为铜。5.如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该上层基板之第二镀金属层系为锡铅。6.如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该下层基板之第一镀金属层系为铜。7.如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该上层基板之第二镀金属层系为一熔点350℃以下之黏接导通材质。8.如申请专利范围第7项所述之封装结构,其中该黏接导通材质系为锡铅。9.如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该半导陶瓷膜片系为被动元件。10.如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该绝缘层系为环氧树脂(Epoxy)或矽胶(silicon)。11.如申请专利范围第9项所述之封装结构,其中该被动元件系为电阻、电容、电感、变压器等半导化陶瓷元件。图式简单说明:第一图所显示为接脚引线(lead)之传统圆盘式(disk)电子元件。第二图所显示为一般积层陶瓷构装元件。第三图所显示为一般陶瓷封装结构。第四A图所显示为本创作之一种单孔半导化陶瓷元件之封装结构之流程图。第四B图所显示为本创作之一种多孔半导化陶瓷元件之封装结构之流程图。第五A至五F图所显示为本创作之半导化陶瓷元件之封装结构分解图。第六A图所显示为本创作之半导化陶瓷元件之封装结构正视图。第六B图所显示为本创作之半导化陶瓷元件之封装结构示意图。