| 发明名称 | 薄芯片在载体衬底上的低共熔压焊 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制造半导体元器件(166)的方法。该方法包括下列步骤：a)在初始衬底(112)上制造半导体芯片(110)，其中所述半导体芯片在至少一个支撑点(116)上与所述初始衬底(112)连接，其中所述半导体芯片(110)具有背离所述初始衬底(112)的正面(130)和朝向所述初始衬底(112)的背面(132)，b)在至少一个贯穿接触步骤中，将至少一个贯穿接触部填充材料(142)施加到所述半导体芯片(110)上，其中所述背面(132)的至少一个部分区域(140)被涂以所述贯穿接触部填充材料(142)，c)将所述半导体芯片(110)与所述初始衬底(112)分离，以及d)将所述半导体芯片(110)施加到至少一个载体衬底(150)上，其中所述半导体芯片(110)的背面(132)的被涂以所述贯穿接触部填充材料(142)的部分区域(140)与所述载体衬底(150)上的至少一个焊盘(152)连接。 | ||
| 申请公布号 | CN103229290B | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201080070258.9 | 申请日期 | 2010.11.23 |
| 申请人 | 罗伯特·博世有限公司 | 发明人 | A·普吕姆;K-H·克拉夫特;T·迈尔;A·霍伊查斯特;C·舍林 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 苏娟 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体元器件(166)的方法，包括下列步骤：a)在初始衬底(112)上制造半导体芯片(110)，其中所述半导体芯片(110)在至少一个支撑点(116)上与所述初始衬底(112)连接，其中所述半导体芯片(110)具有背离所述初始衬底(112)的正面(130)和朝向所述初始衬底(112)的背面(132)，b)在至少一个贯穿接触步骤中，将至少一个贯穿接触部填充材料(142)施加到所述半导体芯片(110)上，其中所述背面(132)的至少一个部分区域(140)被涂以所述贯穿接触部填充材料(142)，c)将所述半导体芯片(110)与所述初始衬底(112)分离，以及d)将所述半导体芯片(110)施加到至少一个载体衬底(150)上，其中所述半导体芯片(110)的背面(132)的被涂以所述贯穿接触部填充材料(142)的部分区域(140)与所述载体衬底(150)上的至少一个焊盘(152)连接。 | ||
| 地址 | 德国斯图加特 | ||