发明名称 Thin Film Transistor Substrate And Method For Manufacturing The Same
摘要 본 발명은 서로 다른 유형의 박막 트랜지스터들이 동일 기판 위에 배치된 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 박막 트랜지스터 기판은, 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 중간 절연막 및 더미 층을 포함한다. 제1 박막 트랜지스터는, 다결정 반도체 층, 다결정 반도체 층 위에 배치된 제1 게이트 전극, 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 포함한다. 제2 박막 트랜지스터는, 제2 게이트 전극, 제2 게이트 전극 위에 배치되는 산화물 반도체 층, 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 포함한다. 중간 절연막은, 산화물 반도체 층 아래에서 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극을 덮는다. 더미 층은, 제1 소스 전극과 중간 절연막 사이 그리고 제1 드레인 전극과 중간 절연막 사이에 개재되며, 산화물 반도체 층과 동일한 물질로 이루어진다.
申请公布号 KR20160124963(A) 申请公布日期 2016.10.31
申请号 KR20150055226 申请日期 2015.04.20
申请人 LG DISPLAY CO., LTD. 发明人 SHIN, HYUN SOO;CHUNG, UI JIN
分类号 H01L29/786;H01L27/32 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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