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Halbleiteranordnung, die aufweist: einen Halbleiterkörper (100); einen vertikalen Leistungstransistor, der ein Sourcegebiet (12), ein Draingebiet (11), ein Bodygebiet (13) und ein Driftgebiet (14), die in dem Halbleiterkörper (100) angeordnet sind, und eine Gateelektrode (15), die benachbart zu dem Bodygebiet (13) und durch ein Gatedielektrikum (16) dielektrisch von dem Bodygebiet (13) isoliert ist, aufweist; und ein laterales Hochspannungsbauelement, das innerhalb einer wannenartigen dielektrischen Struktur (50) in dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist und ein weiteres Driftgebiet (62) aufweist, wobei der Leistungstransistor als vertikaler Leistungstransistor ausgebildet ist, der weiterhin einen Randabschluss (40) aufweist, der im Bereich einer ersten Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) angeordnet ist, wobei der Randabschluss (40) einen Ring definiert und wobei wenigstens das Sourcegebiet (12) des Leistungstransistors innerhalb des Rings angeordnet ist. |
