用于增加在DRAM晶胞电容器内之电极表面积的方法METHOD FOR ENHANCING ELECTRODE SURFACE AREA IN DRAM CELL CAPACLTORS

摘要

在半导体电路形成一电容器之下电极的方法，该等电容器系藉由所提供的方法所形成。该下电极系藉由形成一纹理底层而制造，随后沉积一导电金属于其上。在形成该下电极之方法的一具体实施例中，该纹理层系藉由沉积一包含一碳氢嵌段与含矽嵌段之可聚合材料而形成，于一容器之该绝缘层上，并且随后藉由暴露至紫外光与臭氧以转变该聚合物膜成凸粒或多孔奈米结构。一导电材料系随后经沉积于该产生一下电极且具有一上粗造化表面之纹理层上。在形成该下电极之方法的另一具体实施例中，该纹理底层系藉由沉积跨越第一导电金属层与第二导电金属层以及退火该等金属层而形成以形成表面缺陷，较佳地形成一周期性网状物的结构一导电金属之后以气相沉积，并且凝聚于该纹理层之表面缺陷上，形成凸块群型态之奈米结构。该电容器系藉由沉积一形成于该下电极上之介电层而完成，并且于该介电层之上形成一上电容器电极。该等电容器系于制造DRAM晶胞时特别地有用。