| 摘要 |
一小型隧道氧化物窗系形成于一EEPROM电晶体结构中，其系在汲极与源极布植形成于一氮化物遮罩之二相对侧之后，在一闸极氧化物层上方之氮化物布植遮罩的二侧设置假氮化物间隔片。使用之制程设备具有一最小特征尺寸，例如最小可解析之线宽。氮化物间隔片系形成于一第二氮化物层中，其系在一包含氮化物遮罩形成之第一层之后设置。间隔片经蚀刻，使得其尺寸系对应于一期望隧道氧化物之尺寸。在间隔片形成之前，移除氮化物遮罩之一侧的闸极氧化物，以便容纳间隔片之形成，但另一氧化物层系设置于源极与汲极区域其中一者的上方，毗连一氮化物间隔片，以取代大部分被移除之氧化物。氮化物层经移除，留下一间隔巢，亦即假间隔片其中之一曾与源极和汲极电极其中一者垂直毗邻之空间。隧道氧化物则设置于已移除之间隔片的底部，间隔片系指曾与源极与汲极电极其中一者垂直毗邻者。此隧道氧化物层在间隔巢中之长度，系小于制程设备可制造之最小特征尺寸。一第一多晶矽层系设置于结构上方，填满间隔巢，然后此元件以EEPROM之一般方式完成。第一多晶矽层上方之一厚氧化物层及一第二多晶矽层系用于完成EEPROM结构，其方可用作为一相邻选择电晶体中之层，使得选择电晶体可与EEPROM结构同时形成。 |
