低温氧化矽晶圆之方法及装置

摘要

本发明提供一种低温氧化矽晶圆之方法，包括：置矽晶圆于一真空室中；维持矽晶圆于约室温及350℃间之一温度；引进氧化气体于真空室中，氧化气体取自O2及O3，所组之氧化气体之群中；及由准分子雷射所发射之光照射氧化气体及矽晶圆，以产生反应性氧族群，并形成一氧化物层于矽晶圆上。