| 摘要 |
【课题】本发明的最主要的特征在于针对功率MOSFET提供高速性能，且能够抑制切换杂讯。【解决手段】例如具备有：选择性地被形成在n-漂移层11之表面部的多个的p基极层12，分别被形成在各p基极层12的n^+源极层12，被形成在上述n^-漂移层11之背面侧的n^+漂移层15，连接到该n^+汲极层15的汲极21，连接到上述p基极层12以及上述n^+@源极层13的多个的源极22，经由闸绝缘膜23而被形成在源极22之间的闸极24，以及选择性地被设在位于该闸极24下方之上述n^-漂移层11的表面部，除了被连接到上述p基极层12之一者外，也具有较上述p基极层12为低之杂质的p层14。 |
