发明名称 具有外部资料负载信号之半导体记忆体装置及其串联至并联资料预取之方法
摘要 本发明揭示一种半导体记忆体系统、一种记忆体控制电路以及一种半导体记忆体装置。该系统包括一记忆体控制电路用以产生相互间同步的一资料选通信号以及一资料负载信号。该记忆体电路可能为一SDRAM记忆体电路,其可接收该资料选通信号以及该资料负载信号,并写入资料以回应该等两个同步信号。因为该信号同步,故可消除由不同信号域造成的时序变化所引入的参数。因此,可大幅改善该系统之高频率运作。
申请公布号 TW200307951 申请公布日期 2003.12.16
申请号 TW092108933 申请日期 2003.04.17
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 郭镇锡;张星珍
分类号 G11C7/00 主分类号 G11C7/00
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 韩国