发明名称 SILICON-BASED IMAGE SENSOR WITH IMPROVED READING DYNAMICS
摘要 이미지 센서에서, 화소의 감광 소자에 의해 수집된 전하들 (전자들) 을 저장하는, 화소의 스토리지 노드 (NS) 의 유효 용량은, 스토리지 노드의 실제 용량이 루프의 이득 (G) 에 따라 달라지는 방식으로, 스토리지 노드에 접속된 팔로워 트랜지스터 (T3) 의 공급 (V) 에 영향을 주는 피드백 루프 (100) 의 도움으로 변경된다. 이득을 변경함으로써, 스토리지 노드의 용량 및 이에 따라 이 용량에 반비례하는 전하/전압 변환 계수가 변경된다.
申请公布号 KR20160078999(A) 申请公布日期 2016.07.05
申请号 KR20167013151 申请日期 2014.10.30
申请人 E2V SEMICONDUCTORS 发明人 GESSET STEPHANE
分类号 H04N5/243;H04N5/355;H04N5/3745;H04N5/378 主分类号 H04N5/243
代理机构 代理人
主权项
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