| 摘要 |
在具有量子阱之场效应电晶体中，量子阱以第一导电通道27来提供，紧邻且接触第一通道之至少一个第二导电通道25、25具有有效能带隙15大于第一通道之能带隙14，而且在第一通道之冲击离子化临限值IIT17及在第一及第二通道间之有效导电带补偿值(位阶之高度)两者的系数差，不大于0.5Eg(有效值)，或(替代性地)不大于0.4eV。如此，可造成冲击离子化导致逸溃之较高能量载子，转到第二通道内，允许在增加电压时更快地移动，及／或显现更加大地对逸溃之避免。第一通道较佳地具有低能带隙材料，例如，InSb、InAs、InAs1-ySby、In1-xGaxSb或In1-xGaxAs。 |
