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Prozess zur Herstellung einer Kondensatorzelle über einem Kontakt, umfassend: Ausbilden eines Kondensatorzellenhohlraums in einer Zwischenschicht-Dielektrikum-Struktur, die über einem halbleitenden Substrat (110) angeordnet ist, wobei der Kondensatorzellenhohlraum einen Boden und eine Seitenwand aufweist, und wobei das halbleitende Substrat (110) eine Speicherregion (116) und eine Logikregion (118) enthält; Ausbilden einer Bodenelektrode (142, 143) in dem Kondensatorzellenhohlraum bis zu einer ersten Höhe, wobei die Bodenelektrode (142, 143) mit einem Bitleitungskontakt (128) an dem Kondensatorzellenhohlraumboden koppelt; Füllen des Kondensatorzellenhohlraums mit einem Opferfüllmaterial, wobei das Opferfüllmaterial auch die Speicherregion (116) und die Logikregion (118) bedeckt; Planarisieren des Opferfüllmaterials, um es aus der Logikregion (118) zu entfernen; Zurücksetzen der Bodenelektrode (142, 143) von der ersten Höhe auf eine zweite Höhe, um einen Rand (148) durch ähnliches Zurücksetzen des Opferfüllmaterials in dem Kondensatorzellenhohlraum auszubilden; Entfernen von verbleibendem Opferfüllmaterial aus dem Kondensatorzellenhohlraum; Ausbilden einer Kondensatordielektrikumschicht (150) auf der Bodenelektrode (143), wobei die Kondensatordielektrikumschicht (150) einen Schulterformfaktor am Rand (148) aufweist; Ausbilden einer Kondensatordeckelektrode (154) in dem Kondensatorzellenhohlraum über der Kondensatordielektrikumschicht (150); und Polieren der Kondensatordeckelektrode (154) auf eine Ebene hinab, die sich über dem Rand (148) befindet; wobei das Ausbilden der Bodenelektrode (142, 143) umfasst: konformes Auftragen einer Kupferschicht in den Kondensatorzellenhohlraum; und konformes Auftragen einer Diffusionssperrschicht (144, 145) auf der Kupferschicht, wobei die Diffusionssperrschicht (144, 145) aus Tantal, Tantalnitrid, oder Kupferoxid besteht; ... |
