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Eine Zwischenschicht zur Verwendung in einem Gehäusesubstrat, mit: einem Substrat, das ein Siliziummaterial aufweist, wobei eine Unterseite des Substrats eine PCB-Montagefläche bildet; einer Verbindungsschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist, wobei die Verbindungsschicht leitende und dielektrische Schichten aufweist, die so strukturiert sind, dass mehrere Oberseitenverdrahtungen gebildet sind, wobei eine Oberseitenfläche der Verbindungsschicht eine Chipmontagefläche bildet; mehreren Durchführungen, die durch das Substrat hindurch in einem isolierten Gebiet des Substrats ausgebildet sind, wobei mindestens eine der mehreren leitenden Durchführungen elektrisch mit mindestens einer der Oberseitenverdrahtungen gekoppelt ist; mehreren Blindlöchern, die durch das Substrat in einem dichten Gebiet des Substrats ausgebildet sind, wobei die Durchführungen und die Blindlöcher während eines gemeinsamen Ätzschrittes gebildet sind, wobei mindestens ein Blindloch umfasst: (a) ein dielektrisches Material, das die Blindlöcher beschichtet; und (b) ein leitendes Material, das die beschichteten Blindlöcher füllt und einen Entkopplungskondensator bildet. |
