发明名称 Feldeffekt-Transistor
摘要
申请公布号 DE69517662(D1) 申请公布日期 2000.08.03
申请号 DE19956017662 申请日期 1995.12.20
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO 发明人 NAKAYAMA, TATSUO;MIYAMOTO, HIRONOBU
分类号 H01L29/812;H01L21/338;H01L29/10;H01L29/778;(IPC1-7):H01L29/10 主分类号 H01L29/812
代理机构 代理人
主权项
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