薄膜晶体管阵列及其驱动电路结构

摘要

一种薄膜晶体管阵列及其驱动电路结构，适于配置在一基板上，其主要是由多个扫描配线、多个信号配线、多个薄膜晶体管、多个像素电极、多个储存电容以及多个互补金氧半晶体管所构成。薄膜晶体管主要是由一多晶硅层、一源极/漏极、一N+掺杂薄膜、一栅极以及一栅极绝缘层。其中，多晶硅层是配置于基板上，源极/漏极配置于多晶硅上方，N+掺杂薄膜配置于多晶硅层与源极/漏极之间，栅极配置于多晶硅上方，而栅极绝缘层则配置于多晶硅与栅极之间。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列及其驱动电路结构，适于配置于一基板上，其特征在于，该结构包括：多个扫描配线，配置于该基板上；多个信号配线，配置于该基板上；多个薄膜晶体管，该些薄膜晶体管是藉由该些扫描配线与该些信号配线驱动，每一该些薄膜晶体管包括：一多晶硅层，配置于该基板上；一源极/漏极，配置于该多晶硅上方；一N+掺杂薄膜，配置于该多晶硅层与该源极/漏极之间；一栅极，配置于该多晶硅上方；一栅极绝缘层，配置于该多晶硅与该栅极之间；多个像素电极，对应于该些薄膜晶体管配置：多个储存电容，对应于该些像素电极配置；以及多个互补金属氧化物半导体，每一该些互补金属氧化物半导体包括一N型金属氧化物半导体与一P型金属氧化物半导体，其中，所述栅极绝缘层包括：一第一介电层；以及一第二介电层，配置于该第一介电层上。