| 发明名称 |
Verfahren zur simultanen Dotierung und Oxidation von Halbleitersubstraten und dessen Verwendung |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur simultanen Dotierung und Oxidation von Halbleitersubstraten sowie derart hergestellte dotierte und oxidierte Halbleitersubstrate. Weiterhin betrifft die Erfindung die Verwendung dieses Verfahrens zur Herstellung von Solarzellen.</p> |
| 申请公布号 |
DE102006041424(A1) |
申请公布日期 |
2008.03.20 |
| 申请号 |
DE20061041424 |
申请日期 |
2006.09.04 |
| 申请人 |
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. |
发明人 |
BIRO, DANIEL;PREU, RALF;RENTSCH, JOCHEN |
| 分类号 |
H01L21/225;C30B31/02;H01L31/0288 |
主分类号 |
H01L21/225 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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