与标准集成电路工艺兼容的可见光或紫外光传感器

摘要

本实用新型涉及一种与标准集成电路工艺兼容的可见光或紫外光传感器，其包括P型衬底、在P型衬底上设有N型扩散区、设于N型扩散区周围及的P型扩散区、在N型扩散区上经P型注入和退火后形成的正极区域；正极区域的上表面为受光区；P型掺杂区设于正极区域一侧，作为可见光或紫外光传感器的正极的欧姆接触；N型掺杂区与N型扩散区直接相连，作为可见光或紫外光传感器的负极的欧姆接触；P型区域与N型扩散区之间形成反向P－N结隔离。本实用新型的可见光或紫外光传感器可利用标准半导体加工线和标准集成电路工艺进行加工，便于光电集成电路的批量生产。

主权项

1.一种与标准集成电路工艺兼容的可见光或紫外光传感器，其特征在于：包括P型衬底(7)、在P型衬底(7)上设有N型扩散区(13)、设于N型扩散区(13)周围及中央的P型扩散区(1)、在N型扩散区(13)上经P型注入和退火后形成的正极区域(2)；正极区域(2)的上表面为受光区；P型掺杂区(3)设于正极区域(2)一侧，作为可见光或紫外光传感器的正极(9)的欧姆接触；N型掺杂区(4)与N型扩散区(13)直接相连，作为可见光或紫外光传感器的负极(8)的欧姆接触；P型区域(1)与N型扩散区(13)之间形成反向P-N结隔离。