发明名称 | 磁性记忆体及其制造方法与写入方法 | ||
摘要 | 一种磁性记忆体及其制造方法与写入方法。磁性记忆体包括一第一磁性穿隧结构及一第二磁性穿隧结构。第二磁性穿隧结构系与第一磁性穿隧结构电性连接,且第二磁性穿隧结构之体积系小于第一磁性穿隧结构之体积。 | ||
申请公布号 | TW200926169 | 申请公布日期 | 2009.06.16 |
申请号 | TW097105808 | 申请日期 | 2008.02.19 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 何家骅;谢光宇 |
分类号 | G11C11/15(2006.01) | 主分类号 | G11C11/15(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 祁明辉;林素华 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |