发明名称 磁性记忆体及其制造方法与写入方法
摘要 一种磁性记忆体及其制造方法与写入方法。磁性记忆体包括一第一磁性穿隧结构及一第二磁性穿隧结构。第二磁性穿隧结构系与第一磁性穿隧结构电性连接,且第二磁性穿隧结构之体积系小于第一磁性穿隧结构之体积。
申请公布号 TW200926169 申请公布日期 2009.06.16
申请号 TW097105808 申请日期 2008.02.19
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 何家骅;谢光宇
分类号 G11C11/15(2006.01) 主分类号 G11C11/15(2006.01)
代理机构 代理人 祁明辉;林素华
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号