| 摘要 |
本发明揭示一种直立闸极半导体装置(10)，其具有各自独立且不连续的闸极区域(62、64)。该等独立闸极区域可利用如下方法形成：沈积一闸极材料(28)，以及各向异性蚀刻、抛光或回蚀该闸极材料，以在该直立闸极半导体装置之任一面上形成各自独立之闸极区域。在可能相互绝缘或导电之各独立闸极区域上形成一(66)或两个(68、70)接触点。若各独立闸极区域由多晶矽组成，则需要掺杂。在一项具体实施例中，掺杂的各独立闸极区域具有相同的导电率。在另一项具体实施例中，藉由一独立闸极区域n型掺杂，而另一独立闸极区域p型掺杂而形成一不对称之半导体装置。 |
