半导体元件中之电容器的制作方法

摘要

本发明提供一种半导体元件中之电容器的制作方法，本发明之半导体元件中之电容器的制作方法系，可减少介电体的厚度Teff且藉由使用一Si3N4或一SiOxNy(其中x在0.1与0.9之间，y在0.1与2之间)为一介电体而改进漏泄电流特性；其包括下列步骤：形成一储存节点电极于一半导体晶圆上；形成一以一环形氮化矽所制成的介电层于储存节点电极之上；以及形成一上部电极于此介电层上。