化合物半导体晶圆之制造方法及化合物半导体元件

摘要

一种藉由利用MOCVD法在化合物半导体基板上依副集极层、集极层、基极层、以及射极层之顺序予以气相成长，以制造HBT制造用之化合物半导体晶圆之制造方法，设上述基极层为含3族元素之Ga、A1以及In中的至少其中一种，含5族元素之As的p型化合物半导体薄膜层，以成长速度为5族气体流量供给规范成长之条件使之成长。