场板

摘要

一种场板MESFET，包括复数个FET元件。每一个FET元件包括掺杂平面通道及耦合于前述通道各端之源极与吸极。闸极导体延伸至位于前述源极与吸极间位置处之前述通道的一部分上方，与前述吸极保持第一预定距离。场板与前述闸极导体相连且朝前述吸极延伸第二预定距离，除与闸极导体连结外，前述场板藉由介电材料与前述通道绝缘。