ＣＭＯＳ画像センサ用のゲート制御型電荷変調デバイス

摘要

光を検知するためのデバイスは、第１の型のドーパントを用いてドープされた第１の半導体領域と、第２の型のドーパントを用いてドープされた第２の半導体領域と、を含む。第２の半導体領域は、第１の半導体領域の上方に配置されている。デバイスは、ゲート絶縁層と、ゲートと、ソースと、ドレインと、を含む。第２の半導体領域は、ゲート絶縁層のほうを向いて配置されている上面と、第２の半導体領域の上面に対して反対側に配置されている底面と、を有する。第２の半導体領域は、第２の半導体領域の上面を含む上側部分と、上側部分とは相互に排他的であり第２の半導体領域の底面を含む下側部分と、を有する。第１の半導体領域は、第２の半導体領域の上側部分及び下側部分の両方と接触している。