沟槽充填方法及半导体结构之凹凸几何

摘要

本发明关于一种用来充填半导体结构之渠沟和凹凸几何的方法。本发明希望提出一种用来充填半导体结构之渠沟和凹凸几何的方法，藉由此方法可靠地避免空洞产生，且能以一简单并有成本效益的方式实现该方法。此目标之达成方式为在一第一沈积程序中对渠沟和凹凸结构涂布一具有高保形度和极小粗糙度的第一主填充层（2），其中随后进行一深达渠沟结构之一预定深度的V形蚀刻作业藉以形成一V形轮廓，且沈积一具有高保形度和极小粗糙度的第二主填充层（3）直到渠沟和凹凸结构被完全封闭。