半导体雷射装置

摘要

〔课题〕 提供一种半导体雷射装置，即使光输出产生变化，远视野像FFPx之光强度之半值宽之差△FFPx却不会产生严重的变化。〔解决手段〕 半导体雷射装置10，包括：第一电极6a，且于上述第一电极上依序沉积有：第一导电型基板1；第一导电型之第一覆盖层2；活性层3；层厚为复数段阶之第二导电型之第二覆盖层4；覆盖上述第二覆盖层之相对层厚为厚段阶以外之部分之绝缘体层5；及电性相连于上述第二覆盖层之上述相对层厚为厚段阶之部分之第二电极6b；其中上述绝缘体层之层厚之倒数与热传导率之积小于4×108W/(m2．K)。伍、(一)、本案代表图为：第 1 图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明：1~n型GaAs基板； 2~n型AlGaInP覆盖层；3~多重量子井户MQW构造活性层；4~p型AlGaInP覆盖层； 5~绝缘体层；6a~电极； 6b~电极；7~p型GaAs接触层； 8~凸部；9~端面窗领域； 10~半导体雷射装置；12~雷射光。

主权项

1.一种半导体雷射装置,包括:第一电极,且于上述第一电极上依序沉积有:第一导电型基板;第一导电型之第一覆盖层;活性层;第二导电型之第二覆盖层,层厚具有复数段阶;绝缘体层,覆盖上述第二覆盖层之相对层厚为厚段阶以外之部分;及第二电极,电性相连于上述第二覆盖层之上述相对层厚为厚段阶之部分;其中上述绝缘体层之层厚之倒数与热传导率之积小于4108W/(m2.K)。2.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射装置,其中上述绝缘体层之层厚之倒数与热传导率之积小于8107W/(m2.K)。3.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射装置,其中上述绝缘体层系由热传导率小于5W/(m.K)之材料所构成。4.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射装置,其中上述绝缘体层系由层厚较100nm厚之氮化矽所构成。5.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射装置,其中上述绝缘体层系由沉积复数之绝缘体层所构成。6.如申请专利范围第5项所述之半导体雷射装置,其中上述绝缘体层包括:第一层,由覆盖上述相对层厚为厚段阶部分以外之层厚之倒数与热传导率之积为AW/(m2.K)之氮化矽层所构成;及第二层,覆盖上述第一层之层厚之倒数与热传导率之积为BW/(m2.K);其中(AB)/(A+B)之値小于4x108W/(m2.K)。图式简单说明:第1图系显示本发明之第一实施例中具有半导体雷射装置之部分剖面之立体图;第2图系显示第1图中沿着A-A'线之脊部中央之剖面图;第3图系显示平行参考例之半导体雷射装置中之活性层方向(x轴方向)之温度梯度之曲线图;第4图系显示平行本发明之第一实施例之半导体雷射装置中之活性层方向(x轴方向)之温度梯度之曲线图;第5图系显示本发明之第七实施例中半导体雷射装置之脊部中央构造之剖面图;第6图系显示本发明之第十二实施例中之半导体雷射装置之脊部中央构造之立体剖面图;第7图系显示习知半导体雷射装置之立体图;第8图系显示沿着第7图之B-B'线之脊部中央之剖面图;及第9图系显示习知半导体雷射装置中之远视野像之光输出相关性之曲线图。