| 主权项 |
1.一种测定氨中水份浓度之方法,其特征系使用水份浓度为10ppm以下之氨做为参考气体后,以一定流量将氨导入多次反射长光路容器后,于氨与水份红外吸收为不重叠波数下进行测定水份之红外吸收强度者。2.如申请专利范围第1项之测定氨中水份浓度之方法,其中该方法系以4000cm-1~3500cm-1.3100cm-1~2600cm-1或2400cm-1~1900cm-1范围之波数做为测定波数使用者。3.如申请专利范围第2项之测定氨中水份浓度之方法,其中该测定波数系1种以上选自3600.3609.3612.3619.3629.3634.3649.3656.3670.3675.3688.3691.3701.3709.3712.3719.3722.3727.3732.3736.3741.3744.3749.3752.3756.3759.3766.3770.3779.3785.3796.3801.3807.3816.3821.3826.3831.3835.3837.3840.3843.3854.3862.3865.3870.3874.3880.3885.3891.3894.3899.3902及3904cm-1(变动幅度1cm-1)所成群中者。4.如申请专利范围第3项之测定氨中水份浓度之方法,其中该测定波数系1种以上选自3801.3807.3816.3821.3837及3854cm-1(变动幅度1cm-1)所成群中者。5.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之测定氨中水份浓度之方法,其中该氨系使液化氨进行气化者。6.如申请专利范围第1项之测定氨中水份浓度之方法,其中该氨中水份浓度为10ppm以下者。7.如申请专利范围第6项之测定氨中水份浓度之方法,其中该氨中水份浓度为1ppm以下者。8.如申请专利范围第7项之测定氨中水份浓度之方法,其中该氨中水份浓度为0.1ppm以下者。9.如申请专利范围第1项之测定氨中水份浓度之方法,其中该方法系使氨气体以0.1~5L/min之流量导入该多次反射长光路容器者。10.如申请专利范围第1项之测定氨中水份浓度之方法,其中该方法系使红外光路长度呈1~40m之多次反射者。11.一种红外测定装置,其特征系具备红外分光器、长光路气体容器、流量调整器及气化器,以气化器将气化之氨气送入流量调整器,由流量调整器以一定流速将氨气导入长光路气体容器后,藉由红外分光器进行测定长光路气体容器中之氨中水份者。12.如申请专利范围第11项之红外测定装置,其中该长光路气体容器之容量为0.1~5L者。13.一种制造降低水份含量之氨的方法,其特征系含有蒸馏粗氨之步骤及如申请专利范围第1项之测定方法进行测定氨中水份浓度之步骤者。14.一种制造降低水份含量之氨的方法,其特征系含有使粗氨与至少1种选自金属、金属氧化物及沸石所成群中之精制剂相互接触之精制步骤,以及利用如申请专利范围第1项之测定方法进行测定氨中水份浓度之步骤者。15.如申请专利范围第13或14项之氨的制造方法,其中该水份含量为1ppm以下者。16.如申请专利范围第15项之氨的制造方法,其中该水份含量为0.1ppm以下者。17.一种氨,其特征系如申请专利范围第15项之方法所制造之水份含量降至1ppm以下者。18.一种氨,其特征系如申请专利范围第16项之方法所制造之水份含量降至0.1ppm以下者。19.一种半导体氮化膜,其特征系藉由如申请专利范围第13或14项之制造方法所取得降低水份含量之氨进行制造者。20.一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,其特征系藉由如申请专利范围第13或14项之制造方法取得降低含水量之氨进行制造者。21.如申请专利范围第20项之Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,其中该Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体为GaN、InxGa1-xN、BxGa1-xN、AlxGa1-xN、InxAlyGa1-x-yN、GaNpAs1-p、GaNpAsqP1-p-q、InxGa1-xNpAs1-p(惟、x,y、p、q分别为满足0<x,y,p,q<1之数者)。图式简单说明:图1代表本发明测定氨中水份浓度之红外分光装置者。图2代表图1长光路气体容器部份之扩大图者。图3代表图1中气化装置部份之扩大图者。图4代表本发明方法所测定氨中水份之红外吸收光谱者。 |
