Verfahren zum Programmieren eines Flashspeichers, Flashspeicher und Flashspeichersystem

摘要

Ein Verfahren zum Programmieren eines Flashspeichers umfasst die Schritte: Anlegen einer Programmierspannung (Vpgm) an eine ausgewählte Wortleitung und Anlegen einer Passierspannung (Vpass) an nicht ausgewählte Wortleitungen, Verringern der Programmierspannung (Vpgm) der ausgewählten Wortleitung auf die Passierspannung (Vpass) und Wiederherstellen einer Massespannung (0V) auf der ausgewählten Wortleitung und den nicht ausgewählten Wortleitungen.