| 摘要 |
一晶圆处理方法，用于沿着行列分割一晶圆，该晶圆具有一装置区域，在该装置区域，装置系形成于藉由配置在一基板的前表面上之晶格图案中的该复数行列所分段之复数区域中；及一周边的额外区域，其包括嵌入该装置区域的基板中之电极，该晶圆处理方法包括一分割沟槽形成步骤，用于沿着该等行列形成具有一深度之分割沟槽，该深度对应于每一装置之最后厚度；一环状沟槽形成步骤，用于沿着该装置区域及该周边的额外区域间之边界形成具有一深度之环状沟槽，该深度对应于每一装置之最后厚度；一保护构件附加步骤，用于将一保护构件附加至该晶圆之前表面；一后表面研磨步骤，用于研磨对应于该晶圆之基板的装置区域的后表面，以将该等分割沟槽及该环状沟槽暴露至该晶圆之基板的后表面，且在对应于该周边的额外区域之区域中形成一环状强化部份；及一后表面蚀刻步骤，用于蚀刻该晶圆之基板的后表面，以由该基板的后表面突出该等电极。 |
