发明名称 STABILITY ENHANCEMENTS IN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM TRANSISTORS
摘要 반도체 박막 트랜지스터(TFT) 구조체의 유전체 층 내의 플라즈마 수소화 영역은 TFT의 안정성을 개선한다. TFT는 전극, 전극 상에 배치되는 유전체 층, 및 유전체 상의 금속 산화물 반도체를 포함하는 다층 구조체이다. 반도체의 침착 전에 수소 함유 플라즈마에 대한 유전체 층의 노출은 반도체-유전체 계면에 플라즈마 수소화 영역을 생성한다. 플라즈마 수소화 영역은, 반도체/유전체 계면으로부터 유전체 층 및 반도체 층 중 하나 또는 둘 모두의 벌크 내에 이르기까지 농도가 소되는 수소를 포함한다.
申请公布号 KR101659105(B1) 申请公布日期 2016.09.22
申请号 KR20117017175 申请日期 2009.12.04
申请人 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 发明人 테이스 스티븐 디;레딩거 데이비드 에이치
分类号 H01L29/786;H01L21/336 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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